型号: TK1P90A,LQ(CO
功能描述: MOSFET N-CH 900V 1A 3PWMOLD
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 9 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 13nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 320pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 20W（Tc）
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PW-MOLD
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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