型号:  TK20A25D(Q)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 250V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

制造商:  toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  50

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  250V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  20A

Rds（最大）@ ID，VGS：  100 mOhm @ 10A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  55nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  2550pF @ 100V

功率 - 最大：  45W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装：  TO-220SIS

包装材料 ：  Tube

包装：  3TO-220SIS

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  250 V

最大连续漏极电流：  20 A

RDS -于：  100@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  60 ns

典型上升时间：  30 ns

典型关闭延迟时间：  270 ns

典型下降时间：  35 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk