型号:  TK20D60U(Q)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220(W)

制造商:  toshiba

标准包装：  50

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  600V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  20A

Rds（最大）@ ID，VGS：  190 mOhm @ 10A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  27nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1470pF @ 10V

功率 - 最大：  190W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-220-3

供应商器件封装：  TO-220(W)

包装材料 ：  Tube

包装：  3TO-220(W)

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  600 V

最大连续漏极电流：  20 A

RDS -于：  190@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型上升时间：  40 ns

典型下降时间：  12 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :20A

Drain Source Voltage Vds：  :600V

On Resistance Rds(on)：  :165mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :3V

功耗：  :190W

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :TO-220

No. of Pins：  :3

MSL：  :-

Current Id Max：  :20A

Voltage Vgs Max：  :30V

Weight (kg)：  0.00135

Tariff No.：  85412900

associated：  BW50-2G205AB0500B220SAMK3311