型号: TK20V60W5,LVQ(S
功能描述: MOSFET N-Ch 600V 20A 110ns DFN 8x8mm
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 20 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 190 m0hms
最大栅阈值电压： 4.5V
最小栅阈值电压： 3V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： DFN
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 5
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 开关调节器 MOSFET
最大功率耗散： 156 W
高度： 0.8mm
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 8mm
正向二极管电压： 1.7V
系列： DTMOSIV
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 55 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1800 pF @ 300 V
典型关断延迟时间： 100 ns
典型接通延迟时间： 90 ns
尺寸： 8 x 8 x 0.8mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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