型号: TK22E10N1,S1X
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： TK22E10N1 -
特色产品： Toshiba - U-MOSⅧ-H MOSFETs
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 52A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 13.8 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 300µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 28nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1800pF @ 50V
功率 - 最大值： 72W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220-3
其它名称： TK22E10N1,S1X(STK22E10N1S1X
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