型号: TK28N65W,S1F(S
功能描述: MOSFET, DTMOS4, 650V/28A, TO247
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 27 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 110 m0hms
最大栅阈值电压： 3.5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-247
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 230 W
宽度： 5.02mm
典型接通延迟时间： 60 ns
典型关断延迟时间： 130 ns
典型输入电容值@Vds： 3000 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs： 75 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
系列： TK
每片芯片元件数目： 1
长度： 15.94mm
高度： 20.95mm
正向二极管电压： 1.7V
尺寸： 15.94 x 5.02 x 20.95mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：武洪宇
电话：18500684353
Q Q:
联系人：林女士，林先生，洪女士
电话：13410287239
Q Q:
联系人：李新
电话：13265615669
Q Q:
