型号: TK31J60W,S1VE(S
功能描述: MOSFET,N-channel,600V,30.8A,TO3P
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 30.8 A
最大漏源电压: 600 V
最大漏源电阻值: 88 m0hms
最大栅阈值电压: 3.7V
最小栅阈值电压: 2.7V
最大栅源电压: -30 V、+30 V
封装类型: TO-3P
安装类型: 通孔
引脚数目: 3+Tab
通道模式: 增强
类别: 开关调节器
最大功率耗散: 230 W
长度: 15.5mm
高度: 20mm
每片芯片元件数目: 1
正向二极管电压: 1.7V
尺寸: 15.5 x 4.5 x 20mm
系列: DTMOSIV
最高工作温度: +150 °C
典型输入电容值@Vds: 3000 pF @ 300 V
典型关断延迟时间: 165 ns
典型接通延迟时间: 70 ns
宽度: 4.5mm
典型栅极电荷@Vgs: 86 nC @ 10 V
晶体管材料: Si
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：曾鹏
电话：15675451476
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18079208564
Q Q:
联系人：马欣豪
电话：13798477800
Q Q:
