型号: TK35N65W5,S1F(S
功能描述: MOSFET,N-channel,650V,35A,TO247
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 35 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 95 m0hms
最大栅阈值电压： 4.5V
最小栅阈值电压： 3V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-247
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 开关调节器
最大功率耗散： 270 W
典型接通延迟时间： 110 ns
典型关断延迟时间： 150 ns
典型输入电容值@Vds： 4100 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs： 115 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
系列： DTMOSIV
每片芯片元件数目： 1
宽度： 5.02mm
长度： 15.94mm
高度： 20.95mm
正向二极管电压： 1.7V
尺寸： 15.94 x 5.02 x 20.95mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：刘清影
电话：18924630310
Q Q:
联系人：杨晶
电话：13168723808
Q Q:
联系人：刘远俊
电话：15013509499
Q Q:
