型号: TK3R1P04PL,RQ
功能描述: MOSFET N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 130 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 60 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 87 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: TK3R1P04PL
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Toshiba
下降时间: 19 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 200 mg
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