型号: TK40E10N1,S1X
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表: TK40E10N1 -
特色产品: Toshiba - U-MOSⅧ-H MOSFETs
标准包装: 50
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 管件
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 90A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 8.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 3000pF @ 50V
功率 - 最大值: 126W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3
其它名称: TK40E10N1S1X
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