型号: TK40E10N1,S1X
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： TK40E10N1 -
特色产品： Toshiba - U-MOSⅧ-H MOSFETs
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 90A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 8.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 3000pF @ 50V
功率 - 最大值： 126W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220-3
其它名称： TK40E10N1S1X
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：兰先生
电话：13296027388
Q Q:
联系人：王磊
电话：19946274421
Q Q:
联系人：王显建
电话：13340963609
Q Q:
