型号: TK42A12N1,S4X(S
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 42 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 42 A
最大漏源电压： 120 V
最大漏源电阻值： 9.4 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-220SIS
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 35 W
长度： 10mm
尺寸： 10 x 4.5 x 15mm
宽度： 4.5mm
高度： 15mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 52 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 3100 pF @ 60 V
典型关断延迟时间： 64 ns
典型接通延迟时间： 40 ns
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
系列： TK
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15307553891
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：武洪宇
电话：18500684353
Q Q:
联系人：陈小勇
电话：15112380080
Q Q:
联系人：李朝汉
Q Q:
