型号: TK49N65W,S1F(S
功能描述: MOSFET Power MOSFET 49.2A 400W 650V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 49.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 160 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: TK49N65W
商标: Toshiba
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 70 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 270 ns
典型接通延迟时间: 130 ns
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