型号: TK4A60D(STA4,Q,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装: 50
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 管件
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 1.7 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 600pF @ 25V
功率 - 最大值: 35W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220SIS
其它名称: TK4A60D(Q)TK4A60D(Q)-NDTK4A60D(STA4QM)
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