型号: TK4R3E06PL
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET TK4R3E06PL, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 80 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 7.2 m0hms
最大栅阈值电压： 2.5V
最小栅阈值电压： 1.5V
最大栅源电压： ±20 V
封装类型： TO-220
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 87 W
典型接通延迟时间： 24 ns
典型关断延迟时间： 55 ns
典型输入电容值@Vds： 3280 pF @ 30 V
典型栅极电荷@Vgs： 48.2 nC @ 10 V
每片芯片元件数目： 1
宽度： 15.1mm
长度： 10.16mm
高度： 4.45mm
尺寸： 10.16 x 15.1 x 4.45mm
最高工作温度： +175 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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