型号: TK560P65Y,RQ
功能描述: MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 430 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 14.5 nC
最小工作温度: -
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSV
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: TK560P65Y
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Toshiba
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 105 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
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