型号: TK58E06N1,S1X(S
功能描述: MOSFET,N-channel,60V,105A,TO220
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 105 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 5.4 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-220
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 开关调节器
最大功率耗散： 110 W
典型接通延迟时间： 33 ns
典型关断延迟时间： 56 ns
典型输入电容值@Vds： 3400 pF @ 30 V
典型栅极电荷@Vgs： 46 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
系列： U-MOSVIII-H
每片芯片元件数目： 1
宽度： 4.45mm
长度： 10.16mm
高度： 15.1mm
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 10.16 x 4.45 x 15.1mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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