型号: TK60P03M1,RQ(S
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 40nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2700pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 10V
功率耗散（最大值）： 63W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 6.4 毫欧 @ 30A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： DPAK
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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