型号: TK62J60W,S1VQ(O
功能描述: Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62J60W,S1VQ(O, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 62 A
最大漏源电压: 600 V
最大漏源电阻值: 40 m0hms
最大栅阈值电压: 3.7V
最大栅源电压: -30 V、+30 V
封装类型: TO-3PN
安装类型: 通孔
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 400 W
尺寸: 15.5 x 4.5 x 20mm
系列: TK
每片芯片元件数目: 1
晶体管材料: Si
最高工作温度: +150 °C
典型输入电容值@Vds: 6500 pF @ 300 V
典型关断延迟时间: 310 ns
典型接通延迟时间: 115 ns
宽度: 4.5mm
高度: 20mm
长度: 15.5mm
典型栅极电荷@Vgs: 180 nC @ 10 V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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