型号: TK65G10N1,RQ
功能描述: MOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 136 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 81 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 156 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 10.4 mm
长度: 10 mm
系列: TK65G10N1
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 26 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 44 ns
单位重量: 4 g
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