型号: TK6Q65W,S1Q
功能描述: MOSFET Power MOSFET N-Channel
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 5.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 890 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 11 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSIV
封装: Tube
高度: 6.1 mm
长度: 6.65 mm
系列: TK6Q65W
宽度: 2.3 mm
商标: Toshiba
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 75
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 34 ns
单位重量: 4 g
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