型号: TK72E12N1,S1X
功能描述: MOSFET N-Ch 120V 179A 225W UMOSVIII 130nC .0044
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Id-连续漏极电流: 179 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 130 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 255 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 15.1 mm
长度: 10.16 mm
系列: TK72E12N1
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.45 mm
商标: Toshiba
下降时间: 37 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 33 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 120 ns
典型接通延迟时间: 64 ns
单位重量: 6 g
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13128815482
Q Q:
联系人：庄
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13430528046
Q Q:
