型号: TK7E80W,S1X
功能描述: MOSFET N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 6.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 795 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 110 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSIV
系列: TK7E80W
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Toshiba
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
单位重量: 1.800 g
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