型号: TK8A10K3,S5Q,M
功能描述: MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET特点: Standard
封装: Tube
安装类型: Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C: 8A
的Vgs(th ) (最大)@ Id: 4V @ 1mA
系列: *
封装/外壳: TO-220-3 Full Pack
供应商设备封装: TO-220SIS
其他名称: TK8A10K3S5QM
开态Rds(最大)@ Id ,V GS: 120 mOhm @ 4A, 10V
FET型: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大: 18W
标准包装: 50
漏极至源极电压(Vdss): 100V
输入电容(Ciss ) @ VDS: 530pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS: 12.9nC @ 10V
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