型号: TK8A10K3,S5Q,M
功能描述: MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET特点： Standard
封装： Tube
安装类型： Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C： 8A
的Vgs（th ） （最大）@ Id： 4V @ 1mA
系列： *
封装/外壳： TO-220-3 Full Pack
供应商设备封装： TO-220SIS
其他名称： TK8A10K3S5QM
开态Rds（最大）@ Id ，V GS： 120 mOhm @ 4A, 10V
FET型： MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大： 18W
标准包装： 50
漏极至源极电压（Vdss）： 100V
输入电容（Ciss ） @ VDS： 530pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS： 12.9nC @ 10V
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