型号: TK90S06N1L,LQ
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： TK90S06N1L -
标准包装： 2,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 90A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 3.3 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 81nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 5400pF @ 10V
功率 - 最大值： 157W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： TO-252-3
其它名称： TK90S06N1L,LQ(OTK90S06N1LLQTR
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨宝林
电话：13902969450
Q Q:
联系人：李轩
电话：18820011775
Q Q:
联系人：沈容容
电话：18003262360
Q Q:
