型号: TK9J90E,S1E
功能描述: MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P(N)-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 9 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 46 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 20 mm
长度: 15.5 mm
系列: TK9J90E
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 140 ns
典型接通延迟时间: 80 ns
单位重量: 7 g
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