型号: TN0106N3-G P002
功能描述: MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
制造商: Microchip Technology
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 350 mA
Rds On-漏源导通电阻: 4.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
产品: MOSFET Small Signal
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Microchip Technology
下降时间: 3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 6 ns
典型接通延迟时间: 2 ns
单位重量: 453.600 mg
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