型号: TN2106ND
功能描述: MOSFET
制造商: Microchip Technology
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 17 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 2500 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Die
商标: Microchip Technology
通道模式: Enhancement
下降时间: 5 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 5 ns
典型关闭延迟时间: 6 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
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