型号: TN2535N8
功能描述: MOSFET 350V 10Ohm
制造商: Microchip Technology
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
商标: Microchip Technology
Id-连续漏极电流: 283 mA
Vds-漏源极击穿电压: 350 V
Rds On-漏源导通电阻: 10 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-3
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 15 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 2000
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
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