型号: TP0202K-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 385mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 1nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 31pF @ 15V
功率耗散（最大值）: 350mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 1.4 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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