型号: TP2104N3
功能描述: MOSFET 40V 6Ohm
制造商: Microchip Technology
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
商标: Microchip Technology
Id-连续漏极电流: - 250 mA
Vds-漏源极击穿电压: - 40 V
Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 740 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 4 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 4 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 5 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
单位重量: 220 mg
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：18948176968
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：朱
电话：13823781864
Q Q:
联系人：王生
Q Q:
联系人：吴明
电话：86552953
Q Q:
