型号:  TPC6003(TE85L,F,M)

功能描述:   MOSFET MOSFET N-Ch 30V 6A Rdson=0.024Ohm

制造商:  Toshiba

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  6A

Rds（最大）@ ID，VGS：  24 mOhm @ 3A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  25nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1250pF @ 10V

功率 - 最大：  -

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装：  VS-6 (2.9x2.8)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

标准包装名称：  VS

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  24@10V

最大漏源电压：  30

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  VS

最大功率耗散：  2200

最大连续漏极电流：  6

引脚数：  6