型号:  TPC6101(TE85L)

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin VS T/R

制造商:  Toshiba

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  4.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  60 mOhm @ 2.2A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.2V @ 200µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  12nC @ 5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  830pF @ 10V

功率 - 最大：  -

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装：  VS-6 (2.9x2.8)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR);;其他的名称；

最大门源电压：  ±12

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

标准包装名称：  VS

包装高度：  0.7

安装：  Surface Mount

最大功率耗散：  2200

渠道类型：  P

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  60@4.5V

最低工作温度：  -55

最大漏源电压：  20

每个芯片的元件数：  1

包装宽度：  1.6

供应商封装形式：  VS

包装长度：  2.9

PCB：  6

最大连续漏极电流：  4.5

引脚数：  6