型号:  TPC6201(TE85L)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin VS T/R

制造商:  toshiba

Rohs：  Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  95 mOhm @ 1.3A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  4.7nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  170pF @ 10V

功率 - 最大：  400mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装：  VS-6 (2.9x2.8)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  6VS

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  2.5 A

RDS -于：  95@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型上升时间：  2.4 ns

典型下降时间：  2 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  VS

包装高度：  0.7

最大功率耗散：  900

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  95@10V

最低工作温度：  -55

最大漏源电压：  30

每个芯片的元件数：  2

包装宽度：  1.6

供应商封装形式：  VS

包装长度：  2.9

PCB：  6

最大连续漏极电流：  2.5

引脚数：  6