TPC8012-H(TE12L,Q)规格参数_TPC8012-H(TE12L,Q)全国代理商/分销商

型号: TPC8012-H(TE12L,Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 3,000
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装：带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.8A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 400 毫欧 @ 900mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 440pF @ 10V
功率 - 最大值： -
安装类型：表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOP（5.5x6.0）
其它名称： TPC8012-H(TE12L)TPC8012-H(TE12L,Q)-NDTPC8012-HQTRTPC8012-HTRTPC8012-HTR-ND