型号:  TPC8018-H(TE12L,Q)

功能描述:   MOSFET PW TR N-Ch 30V 18A 1.9W 3.5mOhms

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  18A

Rds（最大）@ ID，VGS：  4.6 mOhm @ 9A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.3V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  38nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  2265pF @ 10V

功率 - 最大：  -

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

供应商器件封装：  8-SOP (5.5x6.0)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

标准包装名称：  SOIC

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  4.6@10V

最大漏源电压：  30

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  SOP

最大功率耗散：  1900

最大连续漏极电流：  18

引脚数：  8

铅形状：  Gull-wing

类别：  Power MOSFET

配置：  Quad Drain, Single, Triple Source

身高：  1.5mm

最大连续漏极电流：  18 A

最大漏源电阻：  0.005 Ω

最大漏源电压：  30 V

最大门源电压：  ±20 V

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  1.9 W

最低工作温度：  -55 °C

安装类型：  Surface Mount

包装类型：  SOP

典型栅极电荷@ VGS：  21 nC V @ 5, 38 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS：  2265 pF V @ 10

RoHS指令：  Compliant