型号:  TPC8109(TE12L,Q,M)

功能描述:   MOSFET MOSFET P-CH 30V, 10A

制造商:  Toshiba

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  10A

Rds（最大）@ ID，VGS：  20 mOhm @ 5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  45nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  2260pF @ 10V

功率 - 最大：  -

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.173", 4.40mm 宽度 )

供应商器件封装：  8-SOP (5.5x6.0)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR);;其他的名称；

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

标准包装名称：  SOIC

最低工作温度：  -55

渠道类型：  P

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  20@10V

最大漏源电压：  30

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  SOP

最大功率耗散：  1900

最大连续漏极电流：  10

引脚数：  8

铅形状：  Gull-wing