型号:  TPC8115(TE12L,Q)

功能描述:   TPC8115(TE12L,Q), P-channel MOSFET Transistor 10A 20V, 8-Pin SOP

制造商:  Toshiba

类别：  Power MOSFET

通道模式：  Enhancement

渠道类型：  P

配置：  Quad Source, Single, Triple Drain

外形尺寸：  5 x 4.4 x 1.5mm

身高：  1.5mm

长度：  5mm

最大连续漏极电流：  10 A

最大漏源电阻：  0.01 Ω

最大漏源电压：  20 V

最大门源电压：  ±8 V

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  1.9 W

最低工作温度：  -55 °C

安装类型：  Surface Mount

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  SOP

引脚数：  8

典型栅极电荷@ VGS：  115 nC V @ 5

典型输入电容@ VDS：  9130 pF V @ 10

宽度：  4.4mm

连续漏极电流：  10 A

栅源电压（最大值）：  �8 V

功率耗散：  1.9 W

安装：  Surface Mount

漏源导通电阻：  0.01 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

封装：  Tape and Reel

极性：  P

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  20 V

弧度硬化：  No