型号: TPC8132,LQ(S
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 34nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： +20V，-25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1580pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 10V
功率耗散（最大值）： 1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 25 毫欧 @ 3.5A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-SOP
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：陆先生
电话：13534054557
Q Q:
联系人：胡培义
Q Q:
联系人：夏生
Q Q:
