型号:  TPC8207(TE12L-Q)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SOP T/R

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  6A

Rds（最大）@ ID，VGS：  20 mOhm @ 4.8A, 4V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.2V @ 200µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  22nC @ 5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  2010pF @ 10V

功率 - 最大：  750mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

供应商器件封装：  8-SOP (5.5x6.0)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

最大门源电压：  ±12

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

标准包装名称：  SOIC

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  20@4V

最大漏源电压：  20

每个芯片的元件数：  2

供应商封装形式：  SOP

最大功率耗散：  1500

最大连续漏极电流：  6

引脚数：  8

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  6A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1.2V @ 200µA

供应商设备封装：  8-SOP (5.5x6.0)

其他名称：  TPC8207TE12LQ

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  20 mOhm @ 4.8A, 4V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  750mW

标准包装：  3,000

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  2010pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  22nC @ 5V

封装/外壳：  8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant