型号: TPC8227-H,LQ(S
功能描述: Toshiba TPC 系列 双 Si N沟道 MOSFET TPC8227-H,LQ(S, 5.1 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 5.1 A
最大漏源电压： 40 V
最大漏源电阻值： 40 m0hms
最大栅阈值电压： 2.3V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： SOP
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 8
晶体管配置： 隔离式
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 1.5 W
高度： 1.52mm
系列： TPC
宽度： 3.9mm
典型接通延迟时间： 6.7 ns
典型关断延迟时间： 17 ns
典型输入电容值@Vds： 640 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs： 10 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
最高工作温度： +150 °C
长度： 4.9mm
尺寸： 4.9 x 3.9 x 1.52mm
每片芯片元件数目： 2
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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