型号: TPC8A01(TE12L,Q)
功能描述: MOSFET PW TR with SBD 30v 8.6A 1.5W 11mOhms
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 3,000
FET 型 ： 2 N-Channel (Dual)
FET特点： Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）： 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C： 6A, 8.5A
Rds（最大）@ ID，VGS： 25 mOhm @ 3A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id： 2.3V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS： 17nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的： 940pF @ 10V
功率 - 最大： 750mW
安装类型 ： Surface Mount
包/盒 ： 8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
供应商器件封装： 8-SOP (5.5x6.0)
包装材料 ： Tape & Reel (TR)
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