型号: TPCA8015-H(TE12LQM
功能描述: MOSFET MOSFET N-Ch 40V 35A
制造商: Toshiba
标准包装: 3,000
FET 型 : MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点: Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS): 40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C: 35A
Rds(最大)@ ID,VGS: 5.4 mOhm @ 17.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id: 2.3V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS: 37nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的: 2155pF @ 10V
功率 - 最大: 45W
安装类型 : Surface Mount
包/盒 : 8-PowerVDFN
供应商器件封装: 8-SOP Advance
包装材料 : Tape & Reel (TR);;其他的名称;
最大门源电压: ±20
欧盟RoHS指令: Compliant
最高工作温度: 150
通道模式: Enhancement
标准包装名称: SOIC
最低工作温度: -55
渠道类型: N
封装: Tape and Reel
最大漏源电阻: 5.4@10V
最大漏源电压: 40
每个芯片的元件数: 1
供应商封装形式: SOP EP
最大功率耗散: 45000
最大连续漏极电流: 35
引脚数: 8
铅形状: Flat
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