型号: TPCA8022-H(TE12L,Q
功能描述: MOSFET MOSFET N-Ch 100V 22A Rdson=0.022Ohm
制造商: Toshiba
最大门源电压: ±20
欧盟RoHS指令: Compliant
最高工作温度: 150
通道模式: Enhancement
标准包装名称: SOIC
最低工作温度: -55
渠道类型: N
封装: Tape and Reel
最大漏源电阻: 26@10V
最大漏源电压: 100
每个芯片的元件数: 1
供应商封装形式: SOP EP
最大功率耗散: 45000
最大连续漏极电流: 22
引脚数: 8
铅形状: Flat
连续漏极电流: 22 A
栅源电压(最大值): �20 V
功率耗散: 45 W
安装: Surface Mount
漏源导通电阻: 0.026 ohm
工作温度范围: -55C to 150C
包装类型: SOP Advanced
极性: N
类型: Power MOSFET
元件数: 1
工作温度分类: Military
漏源导通电压: 100 V
弧度硬化: No
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