型号: TPCA8022-H(TE12L,Q
功能描述: MOSFET MOSFET N-Ch 100V 22A Rdson=0.022Ohm
制造商: Toshiba
最大门源电压： ±20
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
通道模式： Enhancement
标准包装名称： SOIC
最低工作温度： -55
渠道类型： N
封装： Tape and Reel
最大漏源电阻： 26@10V
最大漏源电压： 100
每个芯片的元件数： 1
供应商封装形式： SOP EP
最大功率耗散： 45000
最大连续漏极电流： 22
引脚数： 8
铅形状： Flat
连续漏极电流： 22 A
栅源电压（最大值）： �20 V
功率耗散： 45 W
安装： Surface Mount
漏源导通电阻： 0.026 ohm
工作温度范围： -55C to 150C
包装类型： SOP Advanced
极性： N
类型： Power MOSFET
元件数： 1
工作温度分类： Military
漏源导通电压： 100 V
弧度硬化： No
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