型号: TPCA8107-H(TE12L,Q,M)
功能描述: Toshiba U-MOSIII 系列 Si P沟道 MOSFET TPCA8107-H(TE12L,Q,M), 7.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装
制造商: Toshiba
通道类型: P
最大连续漏极电流: 7.5 A
最大漏源电压: 40 V
最大漏源电阻值: 30 m0hms
最大栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: SOP 高级
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 8
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 2800 mW
典型输入电容值@Vds: 1190 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 5 V,27 nC @ 10 V
晶体管材料: Si
系列: U-MOSIII
每片芯片元件数目: 1
最低工作温度: -55 °C
宽度: 5mm
高度: 0.95mm
尺寸: 5 x 5 x 0.95mm
最高工作温度: +150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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