型号: TPCA8107-H(TE12L,Q,M)
功能描述: Toshiba U-MOSIII 系列 Si P沟道 MOSFET TPCA8107-H(TE12L,Q,M), 7.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装
制造商: Toshiba
通道类型： P
最大连续漏极电流： 7.5 A
最大漏源电压： 40 V
最大漏源电阻值： 30 m0hms
最大栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： SOP 高级
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 8
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 2800 mW
典型输入电容值@Vds： 1190 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs： 15 nC @ 5 V，27 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
系列： U-MOSIII
每片芯片元件数目： 1
最低工作温度： -55 °C
宽度： 5mm
高度： 0.95mm
尺寸： 5 x 5 x 0.95mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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