型号: TPCC8007(TE12L,Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 27A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 26nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1870pF @ 10V
功率 - 最大值： 30W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerVDFN
供应商器件封装： 8-TSON高级
其它名称： TPCC8007(TE12LQ)TPCC8007TE12LQ
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