型号: TPCC8066-H,LQ(S
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 15nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs: 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1100pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds: 10V
功率耗散（最大值）: 700mW（Ta），17W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 15 毫欧 @ 5.5A，10V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 8-TSON Advance（3.3x3.3）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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