型号:  TPCF8102(TE85L,F)

功能描述:   MOSFET PW TR P-Ch -20V -6A

制造商:  Toshiba

标准包装：  4,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  6A

Rds（最大）@ ID，VGS：  30 mOhm @ 3A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.2V @ 200µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  19nC @ 5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1550pF @ 10V

功率 - 最大：  -

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装：  VS-8 (2.9x1.9)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR);;其他的名称；

最大门源电压：  ±8

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

标准包装名称：  VS

最低工作温度：  -55

渠道类型：  P

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  30@4.5V

最大漏源电压：  20

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  VS

最大功率耗散：  2500

最大连续漏极电流：  6

引脚数：  8

连续漏极电流：  6 A

栅源电压（最大值）：  �8 V

功率耗散：  2.5 W

安装：  Surface Mount

漏源导通电阻：  0.03 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  VS

极性：  P

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  20 V

弧度硬化：  No