型号:  TPCF8201(TE85L,F)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin VS T/R

制造商:  toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3A

Rds（最大）@ ID，VGS：  49 mOhm @ 1.5A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.2V @ 200µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  7.5nC @ 5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  590pF @ 10V

功率 - 最大：  530mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装：  VS-8 (2.9x1.9)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8VS

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  20 V

最大连续漏极电流：  3 A

RDS -于：  49@4.5V mOhm

最大门源电压：  ±12 V

典型上升时间：  3 ns

典型下降时间：  4.4 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

连续漏极电流：  3 A

栅源电压（最大值）：  �12 V

功率耗散：  1.35 W

漏源导通电阻：  0.049 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  VS

封装：  Tape and Reel

引脚数：  8

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  2

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  20 V

弧度硬化：  No