型号:  TPCF8A01(TE85L,F)

功能描述:   MOSFET N-CH 20V 3A VS-8

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Diode (Isolated)

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3A

Rds（最大）@ ID，VGS：  49 mOhm @ 1.5A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.2V @ 200µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  7.5nC @ 5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  590pF @ 10V

功率 - 最大：  -

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装：  VS-8 (2.9x1.9)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

FET特点：  Diode (Isolated)

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  3A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1.2V @ 200µA

封装/外壳：  8-SMD, Flat Lead

供应商设备封装：  VS-8 (2.9x1.9)

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  49 mOhm @ 1.5A, 4.5V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

标准包装：  4,000

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  590pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  7.5nC @ 5V

其他名称：  TPCF8A01FCT

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant