型号:  TPCM8001-H(TE12L,Q

功能描述:   MOSFET MOSFET N-Ch 30V 20A Rdson=0.0095Ohm

制造商:  Toshiba

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  20A

Rds（最大）@ ID，VGS：  9.5 mOhm @ 10A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.3V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  19nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1130pF @ 10V

功率 - 最大：  30W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-PowerWDFN

供应商器件封装：  2-4L1A

包装材料 ：  Tape & Reel (TR);;其他的名称；

连续漏极电流：  20 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  30 W

安装：  Surface Mount

漏源导通电阻：  0.0095 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  TSSOP

封装：  Tape and Reel

引脚数：  8

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

通道模式：  Enhancement

漏源导通电压：  30 V

弧度硬化：  No